中国半导体多点突围 绝地逆袭之路

中国半导体多点突围 绝地逆袭之路！中国半导体产业经历了从无到有的艰难历程，成功打破了国外专家对中国无法制造高端光刻机的质疑。在技术封锁和国际竞争的压力下，中国半导体人以坚韧不拔的精神书写了一段逆袭的历史。

曾经，中国半导体产业在全球产业链中处于弱势地位，核心技术被少数国家垄断，设备依赖进口，工艺落后。面对这样的困境，“02专项”启动，标志着中国开始向这一战略高地发起冲击。国家战略布局的重要性在于，没有自主可控的芯片产业，国家的信息安全和经济发展将受制于人。

在技术攻关方面，中国科学院、哈尔滨工业大学等科研机构成为开路先锋。哈工大赵永蓬教授团队选择了不同于ASML的技术路线——DPP技术，经过无数次试验，最终点亮了属于中国人自己的EUV光源。中科院上海光机所则选择了LPP技术路线，清华大学研发稳态微聚束光源，形成了多技术路线并进的局面。这种策略既分散了风险，也为技术突破提供了更多可能性。2024年上半年，哈工大团队的光源原型机通过关键测试，功率达到120W实用级，实现了从0到1的跨越。

半导体产业是一个高度复杂的系统工程，任何单点突破都需要产业链上下游的协同配合。中微半导体在尹志尧的带领下，从头啃出了国产刻蚀机，逐步实现5nm量产和3nm技术突破。江丰电子参与超高纯金属溅射靶材研发，浙江大学与立立电子合作实现200mm硅片量产。这些基础材料的突破为整个产业链的自主可控奠定了坚实基础。